Tài liệu Thư viện số

Danh mục TaiLieu.VN

Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp.trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử

Trong nghiên cứu này, sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge được tập trung khảo sát. Vị trí của các nguyên tử P được thiết lập lại nhờ kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử (APT). Màng Ge được xử lý nhiệt sau khi tăng trưởng ở nhiệt độ 700 oC trong thời gian 60 giây để tạo ứng suất và kích hoạt điện tử pha tạp đồng thời cải thiện chất lượng tinh thể.

Từ khóa: Màng Germani, Pha tạp phốt pho, Phổ huỳnh quang, Chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử, Quang điện tử

6 p tvs_hbu 24/04/2019 88 1

Bình luận